2 марта на 89-м году жизни скончался выдающийся советский и российский физик, нобелевский лауреат, академик Российской академии наук, депутат фракции КПРФ в Государственной Думе ФС РФ Жорес Иванович Алфёров.
Имя «Жорес» получил в честь Жана Жореса – лидера французской Социалистической партии. Во время Великой Отечественной войны семья Алфёрова переехала на Средний Урал, в город Туринск, а после её окончания – в город Минск.
С золотой медалью окончил русскую мужскую среднюю школу №2 в Минске. После этого несколько семестров отучился в Белорусском политехническом институте (ныне – Белорусский национальный технический университет) на энергетическом факультете, но перевёлся оттуда в Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина) (ныне – Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет). В 1952 году с отличием окончил его по специальности «Электровакуумная техника».
В 1961 году защитил кандидатскую диссертацию защитил, в 1970 год – докторскую на тему «Гетеропереходы в полупроводниках». В 1972 году избран членом-корреспондентом Академии наук СССР (ныне – Российская академия наук), в 1979 году – академиком.
С 1953 года работал в Ленинградском физико-техническом институте (ныне – Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН). После окончания ВУЗА был зачислен младшим научным сотрудником. С 1965 года – старший научный сотрудник, с 1972 года – профессор ЛЭТИ. В 1973 – 2003 годах был заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. В 1987 – 2003 годах – директор, в 2003 – 2006 годах – научный руководитель института.
В 1988 – 2004 годах – декан физико-технического факультета Ленинградского, затем – Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. В 2004 году основал и возглавил кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологии и телекоммуникаций университета. В настоящее время являлся научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ.
Основные направления научной деятельности – физика полупроводников и полупроводниковая электроника. В ЛФТИ участвовал в создании первых советских транзисторов и германиевых приборов. В 1960-х годах занялся изучением полупроводниковых гетеростуктур, необходимых для создания диодных лазеров, светодиодов и солнечных батарей. Благодаря Жоресу Алфёрову технологический уровень Союза Советских Социалистических Республик сравнялся в этой области с американским. В настоящее время специализируется на нанотехнологиях, полупроводниковой и квантовой электронике. Автор более 600 научных работ, 3 монографий, 50 изобретений.
В 1989 году Жорес Алфёров стал председателем Ленинградского научного центра АН СССР (впоследствии – Санкт-Петербургского научного центра РАН). С 1997 года являлся ректором Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий РАН (до 2002 года – Научно-образовательный центр ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН).
В 1990 – 1991 годах – вице-президент АН СССР, с 1991 по 2017 год – вице-президент РАН.
С 2007 года – председатель комиссии РАН по нанотехнологиям, с 2008 года – заместитель академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.
Являлся главным редактором научного журнала «Письма в журнал технической физики» РАН.
С июня 2010 года – сопредседатель консультативного научного совета Фонда развития Центра разработки и коммерциализации новых технологий «Сколково» (Фонд «Сколково»).
Помимо науки занимался общественной и политической деятельностью. С 1989 по 1992 годы был депутатом Верховного совета СССР от Академии наук СССР. С 1995 года – депутат Государственной Думы Федерального Собрания ФС РФ второго – седьмого созывов. В 1995 – 1999 годах был Председателем подкомитета по науке Комитета по науке и образованию Государственной Думы, в 1999 – 2007 годах – членом Комитета Государственной Думы по образованию и науке, в 2007 – 2016 годах – членом Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям, в 2016 – 2019 годах — членом Комитета Государственной Думы по образованию и науке.
В 2000 году Жоресу Ивановичу Алфёрову присуждена Нобелевская премия по физике за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике.
В 2001 году учредил благотворительный Фонд поддержки образования и науки, в который учёный перечислил часть своей Нобелевской премии. В 2002 году по его инициативе была учреждена международная премия «Глобальная энергия». В 2005 году сам был удостоен этой премии.
Лауреат Ленинской и Государственной премий СССР, Государственной премии РФ. Награждён орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, «Знак Почёта, Александра Невского, орденами «За заслуги перед Отечеством» IV, III, II и I степеней. Награждён иностранными орденами: Почётного легиона (Франция), Франциска Скорины (Белоруссия), Ярослава Мудрого V степени (Украина) и Дружбы Народов (Белоруссия). Является лауреатом ряда других научных премий, в том числе премии им. А.Ф. Иоффе РАН. Также награждён золотой медалью им. А.С. Попова РАН.
Иностранный член Национальной академии наук Белоруссии, Молдавии, Азербайджана, Армении, Болгарии, Китая, США.
В честь учёного назван астероид 3884 в главном астероидном поясе.
KPRF-SMOLENSK.RU
